電子回路素子

電子回路素子について

電子回路素子

30-51 正しいのはどれか。
a.理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b.バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c.ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d.FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e.CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e


正解5

30-52図 1 の回路に図 2 に示す電圧 E を入力したとき、ダイオード D 1 に電流が流れる区間はどれか。
ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。
1.A
2.B
3.C
4.D
5.E

正解3


30—53 図のツェナーダイオード(ツェナー電圧 3 V)を用いた回路で 20 Ω の抵抗に流れる電流[mA]はどれか。
0
2.100
3.150
4.250
5.400

正解2

30—54 図の増幅回路全体の増幅度は 54 dB である。抵抗 R[kΩ]はどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とし、log 10 2 を 0.3 とする。
5
10
50
4.100
5.500

正解3

30—55 図の回路について正しいのはどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
a.遮断周波数は 5 Hz である。
b.通過域の増幅度は 20 dB である。
c.遮断周波数では V i と V o の位相差はゼロである。
d.入力インピーダンスは 10 kΩ である。
e.直流は通過域に含まれる。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解5

31-52 図の pn 接合で正しいのはどれか。
a.多数キャリア A には右方向に力が作用する。
b.多数キャリア B は電子である。
c.電圧 E を高くしていくと降伏現象が生じる。
d.電圧 E を高くすると空乏層が小さくなる。
e.電圧 E を高くすると拡散電位が高くなる。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解3

31-53 正しいのはどれか。
a.LED の発光強度は加えた電圧に比例する。
b.LED の発光波長は流した電流に比例する。
c.LED の順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。
d.フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。
e.フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。
1.a、b、c 2.a、b、e 3.a、d、e 4.b、c、d 5.c、d、e
正解5

31-54 図の回路の電圧増幅度を 20 dB とするとき、抵抗 R に流れる電流 I[mA] はどれか。
ただし、A は理想演算増幅器とする。
1. 0.01
2. 0.1
3. 1
4. 10
5. 100
正解2

31-55 図の回路について、正しいのはどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
a.遮断周波数より十分に低い帯域で微分特性を有する。
b.コンデンサ C 1 と抵抗 R 2 に流れる電流は等しい。
c.遮断周波数は 314 Hz である。
d.直流成分は通過する。
e.入力インピーダンスは抵抗 R 1 と R 2 で決まる。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解1
31—51 抵抗変化を利用する素子はどれか。
a.サーミスタ
b.CdS
c.ホール素子
d.熱電対
e.圧電素子
1.a、b2.a、e3.b、c4.c、d5.d、e

正解1

31—52 図 1 に示した特性のダイオードを 2 つ用いた図 2 の回路の出力電圧 V o の 最大値 Vomax [V]と最小値 Vomin [V]はどれか。
ただし、順方向の電圧降下は 0.6 V とする。


1.Vo max = 0.6、Vo min = -0.6
2.Vo max = 0.6、Vo min = -3.0
3.Vo max = 3.0、Vo min = -3.0
4.Vo max = 3.6、Vo min = -3.6
5.Vo max = 6.0、Vo min = -6.0

正解4

31—53 図の回路の入力電圧 V i と出力電圧 V o の関係式(V o /V i )はどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。


正解1

31—54 図の回路のスイッチが、b 0 = 1 、b 1 = 1 のときの V o はどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
1 0
2.-Vr
3.-2Vr
4.-3Vr
5.-4Vr

正解4

32- 52 電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a.MOS-FET は金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b.FET はユニポーラトランジスタである。
c.FET の n 形チャネルのキャリアは正孔である。
d.FET ではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e.FET は高入力インピーダンス素子である。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解4

32-53 図 1 の電圧 V i を入力したとき、図 2 の電圧 V o を出力する回路はどれか。 ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。
正解2
32-55 図 1 の回路において図 2 に示す電圧 V 1 と V 2 を入力した場合、出力電圧 Vo の波形で正しいのはどれか。
ただし、A は理想演算増幅器とする。
正解4



32—51 起電力を生じるデバイスはどれか。
a.有機 EL
b.CdS
c.サーミスタ
d.ホール素子
e.熱電対

1.a、b 2.a、e3.b、c 4.c、d5.d、e


正解5


32—52 図の回路について正しいのはどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
a.時定数は 10 ms である。
b.通過域の増幅度は 20 dB である。
c.遮断周波数では V i と V o の位相差はゼロである。
d.入力インピーダンスは周波数に反比例する。
e.遮断周波数より十分に高い帯域で積分特性を有する。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d5.d、e

正解2

32—53 ツェナー電圧 3 V のツェナーダイオードを含む図の回路の V i と V o の関係を示すグラフはどれか。
正解3


32—55 図の回路のV[iV]はどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
1.- 2
2.- 1
3. 0
4. 1
5. 2

正解2
33-52 理想演算増幅器について正しいのはどれか。
a.周波数帯域幅は無限大である。
b.出力インピーダンスは無限大である。
c.同相除去比(CMRR)はゼロである。
d.入力端子に流れ込む電流はゼロである。
e.スルーレートは無限大である。
1.a、b、c 2.a、b、e 3.a、d、e 4.b、c、d 5.c、d、e

正解3
33-53 素子自体が発光しないのはどれか。
a.CCD
b.有機 EL
c.プラズマディスプレイ
d.LED
e.液 晶
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e

正解2
33—51 正しいのはどれか。
a.理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b.ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c.ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d.接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e.CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e

正解5
33—52 図の回路の入力インピーダンスはどれか。
ただし、A は理想演算増幅器とし、角周波数を ω、虚数単位を とする。
正解4
33—53 ダイオードの順方向における電流電圧特性を図 1 に示す。このダイオード を図 2 のような等価回路(F ≧ 0.6 V)に置き換えたときの d と d との組合せで 正しいのはどれか。
1.Vd =1.0V  rd =250Ω
2.Vd =1.0V  rd =100Ω 
3.Vd =0.6V  rd =250Ω 
4.Vd =0.6V  rd =100Ω 
5.Vd =0.6V  rd = 0Ω

正解4

33—55 図の回路に電圧 i = 100 sin(10 rt[)V]を入力した。出力電圧 o の実効 値[V]はどれか。
ただし、ダイオードは理想ダイオードとし、時間 の単位は秒とする。
正解2
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