電子回路素子
30-51 正しいのはどれか。a.理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b.バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c.ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d.FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e.CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解5
30-52図 1 の回路に図 2 に示す電圧 E を入力したとき、ダイオード D 1 に電流が流れる区間はどれか。
ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。
2.B
3.C
4.D
5.E
正解3
30—53 図のツェナーダイオード(ツェナー電圧 3 V)を用いた回路で 20 Ω の抵抗に流れる電流[mA]はどれか。
2.100
3.150
4.250
5.400
正解2
30—54 図の増幅回路全体の増幅度は 54 dB である。抵抗 R[kΩ]はどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とし、log 10 2 を 0.3 とする。
10
50
4.100
5.500
正解3
30—55 図の回路について正しいのはどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
a.遮断周波数は 5 Hz である。
b.通過域の増幅度は 20 dB である。
c.遮断周波数では V i と V o の位相差はゼロである。
d.入力インピーダンスは 10 kΩ である。
e.直流は通過域に含まれる。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解5
31-52 図の pn 接合で正しいのはどれか。
b.多数キャリア B は電子である。
c.電圧 E を高くしていくと降伏現象が生じる。
d.電圧 E を高くすると空乏層が小さくなる。
e.電圧 E を高くすると拡散電位が高くなる。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解3
31-53 正しいのはどれか。
a.LED の発光強度は加えた電圧に比例する。
b.LED の発光波長は流した電流に比例する。
c.LED の順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。
d.フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。
e.フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。
1.a、b、c 2.a、b、e 3.a、d、e 4.b、c、d 5.c、d、e
正解5
31-54 図の回路の電圧増幅度を 20 dB とするとき、抵抗 R に流れる電流 I[mA] はどれか。
ただし、A は理想演算増幅器とする。
2. 0.1
3. 1
4. 10
5. 100
正解2
31-55 図の回路について、正しいのはどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
b.コンデンサ C 1 と抵抗 R 2 に流れる電流は等しい。
c.遮断周波数は 314 Hz である。
d.直流成分は通過する。
e.入力インピーダンスは抵抗 R 1 と R 2 で決まる。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解1
31—51 抵抗変化を利用する素子はどれか。
a.サーミスタ
b.CdS
c.ホール素子
d.熱電対
e.圧電素子
1.a、b2.a、e3.b、c4.c、d5.d、e
正解1
31—52 図 1 に示した特性のダイオードを 2 つ用いた図 2 の回路の出力電圧 V o の 最大値 Vomax [V]と最小値 Vomin [V]はどれか。
ただし、順方向の電圧降下は 0.6 V とする。
2.Vo max = 0.6、Vo min = -3.0
3.Vo max = 3.0、Vo min = -3.0
4.Vo max = 3.6、Vo min = -3.6
5.Vo max = 6.0、Vo min = -6.0
正解4
31—53 図の回路の入力電圧 V i と出力電圧 V o の関係式(V o /V i )はどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
正解1
31—54 図の回路のスイッチが、b 0 = 1 、b 1 = 1 のときの V o はどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
2.-Vr
3.-2Vr
4.-3Vr
5.-4Vr
正解4
32- 52 電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a.MOS-FET は金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b.FET はユニポーラトランジスタである。
c.FET の n 形チャネルのキャリアは正孔である。
d.FET ではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e.FET は高入力インピーダンス素子である。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解4
32-53 図 1 の電圧 V i を入力したとき、図 2 の電圧 V o を出力する回路はどれか。 ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。
32-55 図 1 の回路において図 2 に示す電圧 V 1 と V 2 を入力した場合、出力電圧 Vo の波形で正しいのはどれか。
ただし、A は理想演算増幅器とする。
32—51 起電力を生じるデバイスはどれか。
a.有機 EL
b.CdS
c.サーミスタ
d.ホール素子
e.熱電対
1.a、b 2.a、e3.b、c 4.c、d5.d、e
正解5
32—52 図の回路について正しいのはどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
b.通過域の増幅度は 20 dB である。
c.遮断周波数では V i と V o の位相差はゼロである。
d.入力インピーダンスは周波数に反比例する。
e.遮断周波数より十分に高い帯域で積分特性を有する。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d5.d、e
正解2
32—53 ツェナー電圧 3 V のツェナーダイオードを含む図の回路の V i と V o の関係を示すグラフはどれか。
32—55 図の回路のV[iV]はどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
2.- 1
3. 0
4. 1
5. 2
正解2
33-52 理想演算増幅器について正しいのはどれか。
a.周波数帯域幅は無限大である。
b.出力インピーダンスは無限大である。
c.同相除去比(CMRR)はゼロである。
d.入力端子に流れ込む電流はゼロである。
e.スルーレートは無限大である。
1.a、b、c 2.a、b、e 3.a、d、e 4.b、c、d 5.c、d、e
正解3
33-53 素子自体が発光しないのはどれか。
a.CCD
b.有機 EL
c.プラズマディスプレイ
d.LED
e.液 晶
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解2
33—51 正しいのはどれか。
a.理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b.ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c.ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d.接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e.CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1.a、b 2.a、e 3.b、c 4.c、d 5.d、e
正解5
33—52 図の回路の入力インピーダンスはどれか。
ただし、A は理想演算増幅器とし、角周波数を ω、虚数単位を j とする。
33—53 ダイオードの順方向における電流電圧特性を図 1 に示す。このダイオード を図 2 のような等価回路(V F ≧ 0.6 V)に置き換えたときの V d と r d との組合せで 正しいのはどれか。
2.Vd =1.0V rd =100Ω
3.Vd =0.6V rd =250Ω
4.Vd =0.6V rd =100Ω
5.Vd =0.6V rd = 0Ω
正解4
33—55 図の回路に電圧 V i = 100 sin(10 rt[)V]を入力した。出力電圧 V o の実効 値[V]はどれか。
ただし、ダイオードは理想ダイオードとし、時間 t の単位は秒とする。
医用電気電子工学
ME国家試験
MEトップページ
コメント